Polprzewodniki Nowoczesne rozwiazania w ukladach scalonych polprz, e
[ Pobierz całość w formacie PDF ]
//-->Tytuł oryginału: Modern Semiconductor Devices for Integrated CircuitsTłumaczenie: Konrad MatukISBN: 978-83-283-2090-1Authorized translation from the English language edition, entitled:MODERN SEMICONDUCTOR DEVICES FOR INTEGRATED CIRCUITS, ISBN 0136085253; byChenming Calvin Hu; published by Pearson Education, Inc, publishing as Prentice Hall.Copyright © 2010 Pearson Higher Education.All rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means,electronic or mechanical, including photocopying, recording or by any information storage retrieval system,without permission from Pearson Education, Inc.Polish language edition published by HELION S.A., Copyright © 2016.Wszelkie prawa zastrzeżone. Nieautoryzowane rozpowszechnianie całości lub fragmentu niniejszejpublikacji w jakiejkolwiek postaci jest zabronione. Wykonywanie kopii metodą kserograficzną,fotograficzną, a także kopiowanie książki na nośniku filmowym, magnetycznym lub innym powodujenaruszenie praw autorskich niniejszej publikacji.Wszystkie znaki występujące w tekście są zastrzeżonymi znakami firmowymi bądź towarowymi ichwłaścicieli.Autor oraz Wydawnictwo HELION dołożyli wszelkich starań, by zawarte w tej książce informacje byłykompletne i rzetelne. Nie biorą jednak żadnej odpowiedzialności ani za ich wykorzystanie, ani za związanez tym ewentualne naruszenie praw patentowych lub autorskich. Autor oraz Wydawnictwo HELION nieponoszą również żadnej odpowiedzialności za ewentualne szkody wynikłe z wykorzystania informacjizawartych w książce.Wydawnictwo HELIONul. Kościuszki 1c, 44-100 GLIWICEtel. 32 231 22 19, 32 230 98 63e-mail:helion@helion.plWWW:(księgarnia internetowa, katalog książek)Drogi Czytelniku!Jeżeli chcesz ocenić tę książkę, zajrzyj pod adresMożesz tam wpisać swoje uwagi, spostrzeżenia, recenzję.Printed in Poland.•Kup książkę•Poleć książkę•Oceń książkę•Księgarnia internetowa•Lubię to! » Nasza społecznośćSpis tre ciPrzedmowaO autorze11131PÓ PRZEWODNIKI: ELEKTRONY I DZIURY W PÓ PRZEWODNIKACH151.1. Krystaliczna struktura krzemu 161.2. Model wi za elektronów i dziur 181.3. Energetyczny model pasmowy 221.4. Pó przewodniki, izolatory i przewodniki 271.5. Elektrony i dziury 291.6. G sto stanów 321.7. Równowaga cieplna i funkcja Fermiego 331.8. Koncentracje elektronów i dziur 371.9. Ogólne zagadnienia dotycz ce parametrów n i p 431.10. Koncentracje no ników w bardzo niskich i bardzo wysokich temperaturach1.11. Podsumowanie rozdzia u 47Zadania 49Bibliografia 54Publikacje ogólnie zwi zane z tematyk rozdzia u 55472RUCH I REKOMBINACJA ELEKTRONÓW I DZIUR2.1.2.2.2.3.2.4.57Ruch cieplny 57Dryft 60Pr d dyfuzyjny 69Zale no pomi dzy wykresem poziomów energetycznych a napi ciem i polemelektrycznym 71Kup książkęPoleć książkę6Spis tre ci2.5. Zale no Einsteina pomi dzy D i712.6. Rekombinacja elektron-dziura 742.7. Generacja termiczna 772.8. Quasi-równowaga i poziomy quasi-Fermiego 772.9. Podsumowanie rozdzia u 79Zadania 81Bibliografia 84Publikacje ogólnie zwi zane z tematyk rozdzia u 843TECHNOLOGIA PRODUKCJI KOMPONENTÓW PÓ PRZEWODNIKOWYCH3.1. Wst p do produkcji komponentów 863.2. Utlenianie krzemu 883.3. Litografia 893.4. Transfer wzorów — trawienie 963.5. Domieszkowanie pó przewodnika 993.6. Dyfuzja domieszek 1013.7. Osadzanie cienkich warstw 1053.8. Proces tworzenia z czy pomi dzy komponentami 1103.9. Testowanie, monta i kwalifikacja 1133.10. Podsumowanie rozdzia u — przyk adowy proces produkcji komponentuZadania 116Bibliografia 120Publikacje ogólnie zwi zane z tematyk rozdzia u 121851144ZCz4.1.4.2.4.3.4.4.4.5.4.6.4.7.4.8.4.9.4.10.4.11.CZE P-N I ZI Z cze p-nCZE METAL-PÓ PRZEWODNIK123123Zagadnienia teoretyczne zwi zane ze z czem p-n 124Model warstwy zubo onej 128Z cze p-n i polaryzacja zaporowa 133Charakterystyki pojemno ciowo-napi ciowe 134Przebicie z cza p-n 136Iniekcja no ników w polaryzacji przewodzenia i warunkach quasi-równowagibrzegowej 141Równanie ci g o ci pr du 144No niki nadmiarowe w z czu p-n w polaryzacji przewodzenia 146Charakterystyki pr dowo-napi ciowe diody pó przewodnikowej 150Magazynowanie adunku 154Ma osygna owy model diody 155Kup książkęPoleć książkęSpis tre ci7Cz4.12.4.13.4.14.4.15.II Zastosowanie w komponentach optoelektronicznych156164Ogniwa fotowoltaiczne 156Diody elektroluminescencyjne i o wietlenie pó przewodnikoweDiody laserowe 170Fotodiody 175Cz4.16. Bariera Schottky’ego 1764.17. Teoria emisji termoelektronowej 1814.18. Diody Schottky’ego 1824.19. Zastosowanie diod Schottky’ego 1844.20. Tunelowanie kwantowo-mechaniczne 1864.21. Kontakt omowy 1864.22. Podsumowanie rozdzia u 190Zadania 194Bibliografia 204Publikacje ogólnie zwi zane z tematyk rozdzia u 205III Z cze metal-pó przewodnik1765KONDENSATOR MOS5.1.5.2.5.3.5.4.5.5.5.6.5.7.5.8.207Warunek i napi cie pasma p askiego 208Akumulacja powierzchniowa 210Zubo enie powierzchni 212Warunek progowy i napi cie progowe 213Silna inwersja poza warunkami progowymi 216Charakterystyki pojemno ciowo-napi ciowe kondensatora MOS 220adunek tlenku — wp yw na Ufbi Ut225Zubo enie bramki wykonanej z krzemu polikrystalicznego spowodowanewzrostem Tox2285.9. Grubo i efekt kwantowo-mechaniczny warstw inwersji i akumulacji 2305.10. Matryca CCD i CMOS 2335.11. Podsumowanie rozdzia u 240Zadania 243Bibliografia 252Publikacje ogólnie zwi zane z tematyk rozdzia u 2526TRANZYSTOR MOS6.1.6.2.6.3.253Tranzystory MOSFET — wprowadzenie 253Struktura komplementarna MOS (technologia CMOS) 254Ruchliwo ci powierzchniowe i uk ady FET charakteryzuj ce si dumobilno ci260Kup książkęPoleć książkę
[ Pobierz całość w formacie PDF ]